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此设备特点是将硫粉放于左端冷区，当硫化过程开始时利用拉杆式将硫粉推进热场。控制电路选用模糊PID程控技术，具有控温精度高，温冲幅度小，性能可靠，简单易操作。同样也适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。
技术参数
 | 炉管尺寸： | 外径Φ25/50/60/80/100*1000mm（可选） |
极限温度： | 1200℃ | |
工作温度： | ≤1100 ℃ | |
温度控制器： | PID自动控制晶闸管（可控硅）输出功率， 30段可编程控制器 | |
升温速率： | ≤50℃/min | |
加热区： | 200+200mm | |
恒温区： | 100+100mm | |
控温精度： | ±1 ℃ | |
电源： | 单相220V，交流50Hz | |
3路质量流量供气系统 （触摸屏控制）
| **电压： | 185~245V/50Hz |
**输出功率： | 18W | |
流量计标准量程： | 100 ，200，500SCCM （非特殊指定以氮气标定，量程可选定） | |
工作温度： | 5~45 ºC | |
工作压差： | 0.1～0.5 MPa | |
**压力： | 3MPa | |
准确度： | ±1.5% FS | |
低真空系统
| 抽速： | 8.11 m³/h |
极限总压： | 3×10-3 mabr | |
进排气口： | DN 25 KF | |
噪音 （气镇开关时，距离1米处测量） | 54 dB | |
注油量： | 0.7- 1.1 L | |
重量： | 21 Kg | |
工作温度： | 10~40 ℃ | |
功率： | 550W |
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